国产碳化硅替代机遇显现 第三代半导体群雄逐鹿资本入局

《投资者网》葛凡梅近年来,以碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)等材料为代表的第三代半导体,因其宽禁带、高饱和漂移速度、高临界击穿电场等优异的