DRAM存储器概念报涨 紫光国微领涨

1月13日DRAM存储器概念报涨，紫光国微(148 18，4 18，2 903%)领涨，兆易创新(208 6，2 46，1 193%)、华天科技(14 03，0 12，0 863%)等跟涨

基于反铁磁材料的新型磁存储器件有望解决AI“内存瓶颈”

美国和意大利研究人员10日在《自然·电子》杂志上发表研究报告称，他们开发出一种基于反铁磁材料的新型磁存储器件，其体积很小，耗能也非常

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